Транзистор G50T60AK3HD Оригінал! 100A/50A, 650V, IGBT, CRG50T60AK3HD(заміна G60T60AK3SD , CRG50T60AK3SD) TO-247

Технічні характеристики IGBT-транзистора G50T60AK3HD Загальні параметри: Виробники / Бренд: CR Micro Технологічна база: Trench Field Stop Technology FS Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму FRD Виконання корпусу: TO-247 Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 100 А Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 50 А Піковий імпульсний струм колектора Icm: 150...200 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 270...312 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.65 В при номінальному струмі 50 А та напрузі затвора 15 В Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.10...2.30 В Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В Повний заряд затвора Qg: ~90...115 нКл Вхідна ємність Ciss: ~2850 пФ Час затримки вимкнення tdoff: ~110-150 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 1.45...1.75 В при прямому струмі 50 А Час зворотного відновлення діода trr: ~80-120 нс швидкий антипаралельний діод із м'яким відновленням Максимальний прямий струм діода If: 50 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: ~0.48...0.56 °C/Вт