Транзистор G15T60A83L, CRG15T60A83L Оригінал!!! 30A/15A, 600V, IGBT, G15T60A83L, CRG15T60A93L, G15T60A93L,CRG15T60A03L

IGBT-транзистор G15T60A83L Загальні параметри: Виробники / Бренд: Goford Semiconductor Технологічна база: Advanced Trench Field Stop Technology Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму Виконання корпусу: TO-220F Електричні параметри (Гранично допустимі значення): Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В Постійний струм колектора Ic при 25°C: 30 А Постійний струм колектора Ic при 100°C: 15 А Піковий імпульсний струм колектора Icm: 45 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 31 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.60 В Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.10 В Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.5...6.5 В Повний заряд затвора Qg: ~35 нКл Вхідна ємність Ciss: ~840 пФ Час затримки вимкнення tdoff: ~68 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: ~1.55 В Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 15 А Час зворотного відновлення діода trr: ~45 нс Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 4.0 °C/Вт Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 5.0 °C/Вт Область застосування та використання: Основне призначення: Малопотужні та середньопотужні інверторні схеми, що вимагають високої частоти перемикання. Сумісні пристрої: Побутові індукційні плити, малопотужні джерела безперебійного живлення, зварювальні апарати легкого класу. Системи керування: Коректори коефіцієнта потужності, блоки живлення з ШІМ-керуванням, драйвери двигунів побутової техніки.