Транзистор P24N60FJD Оригінал!!! 24A/15A, 600V, MOSFET, TO-220F

MOSFET-транзистор P24N60FJD Загальні параметри: Виробники / Бренд: Silan Microelectronics Технологічна база: Super Junction MOS Technology Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму Виконання корпусу: TO-220FJD Електричні параметри (Гранично допустимі значення): Максимальна напруга стік-витік Vdss: 600 В Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В Постійний струм стоку Id при 20°C: 24 А Постійний струм стоку Id при 100°C: 15 А Піковий імпульсний струм стоку Idm: 72 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 48 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Опір стоку в увімкненому стані Rds(on): 0.14 Ом Максимальний опір стоку Rds(on) max: 0.18 Ом Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В Повний заряд затвора Qg: 41 нКл Вхідна ємність Ciss: 1720 пФ Вихідна ємність Coss: 82 пФ Час затримки вимкнення td(off): 75 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vsd: 1.4 В Максимальний постійний прямий струм діода Is: 24 А Час зворотного відновлення діода trr: 290 нс Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 2.66 °C/Вт Тепловий опір перехід–середовище Rthja: 62.5 °C/Вт Область застосування та використання: Основне призначення: Високоефективний комутаційний ключ для імпульсних перетворювачів із жорсткими та м'якими топологіями перемикання. Сумісні пристрої: Блоки живлення побутової техніки, джерела безперебійного живлення, зарядні станції та інвертори. Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, активні коректори коефіцієнта потужності та схеми керування електродвигунами.