Транзистор CRJQ190N65GCF Оригінал!!! 23A/15A, 650V, MOSFET (md20n65) TO-247

Транзистор оригінальний CRJQ190N65GCF, md20n65 MOSFET-транзистор CRJQ190N65GCF Загальні параметри: Виробники / Бренд: CR Micro Технологічна база: Super Junction MOS Technology Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму Виконання корпусу: TO-247 Електричні параметри (Гранично допустимі значення): Максимальна напруга стік-витік Vdss: 650 В Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В Постійний струм стоку Id при 25°C: 23 А Постійний струм стоку Id при 100°C: 14.8 А Піковий імпульсний струм стоку Idm: 93 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 229 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 0.185 Ом Максимальний опір стоку Rds(on) max: 0.21 Ом Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 3.2...4.6 В Повний заряд затвора Qg: 41 нКл Вхідна ємність Ciss: 1427 пФ Вихідна ємність Coss: 67 пФ Час наростання струму ton: 42.5 нс Час спаду струму tof: 105 нс Параметри вбудованого захисного діода: Максимальний постійний прямий струм діода Is: 23 А Максимальний імпульсний струм діода Is.puls: 93 А Енергія одиночного лавинного імпульсу Eas: 220 мДж Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C Контроль надійності: 100% Avalanche Tested та 100% DVDS Tested від виробника Область застосування та використання: Основне призначення: Високоефективний силовий комутаційний ключ для пристроїв із високими вимогами до ККД у ввімкненому стані. Сумісні пристрої: Джерела безперебійного живлення, сонячні інвертори, зварювальні апарати, блоки живлення телевізорів та моніторів. Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, автомобільні та побутові зарядні пристрої, системи LED-освітлення.