Драйвер NSI6602 NSI6602, NSI66 02BD, NSI66 02BD, NSI66 02B, NSI6602B (замена NSI66 02AD)

NSI6602, NSI66 02BD, NSI6602BD, NSI66 02BD, NSI66 02B, NSI6602B-DSWR, NSI6602B Драйвер затвора NSI6602BD Загальні параметри: Виробники / Бренд: NOVOSENSE Microelectronics Технологічна база: High Reliability Isolated Dual-Channel Gate Driver Конфігурація кристала: Високонадійний ізольований двоканальний драйвер затвора для керування MOSFET, IGBT та GaN транзисторами Виконання корпусу: SOW16 або SOP16 Електричні параметри (Гранично допустимі значення): Вхідна напруга живлення логічної частини Vcc1: від 2.7 В до 5.5 В Напруга живлення вихідних драйверів Vcc2: до 28 В Максимальний вихідний імпульсний струм заряду: 4.0 А Максимальний вихідний імпульсний струм розряду: 6.0 А Максимальна робоча частота перемикання: до 2 МГц Статичні та динамічні характеристики: Типове значення затримки поширення сигналу: 19 нс Максимальне узгодження затримки між каналами: 5 нс Максимальне спотворення ширини імпульсу: 6 нс Допустима мінімальна ширина вхідного імпульсу: 20 нс Стійкість до синфазних перехідних процесів CMTI: 100 кВ/мкс Параметри захисту та ізоляції: Напруга ізоляції: 3000 Вrms для корпусу SOP16 або 5700 Вrms для корпусу SOW16 Захист від зниження напруги UVLO: Інтегрований на всіх виводах живлення з порогом 8 В для сторони драйвера Функції контролю: Програмований мертвий час для запобігання наскрізним струмам Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +125 °C Сертифікація безпеки: Відповідність галузевим стандартам безпеки від світових лабораторій Область застосування та використання: Основне призначення: Швидкісне високонадійне керування силовими ключами в ізольованих архітектурах імпульсних джерел живлення. Сумісні пристрої: Портативні зарядні станції, сонячні та фотоелектричні інвертори, промислові джерела безперебійного живлення. Системи керування: Високощільні перетворювачі енергії, серверні та телекомунікаційні блоки живлення, автомобільні зарядні пристрої для електромобілів.