Транзистор CS13N50 Оригинал!!! 13A, 500V, MOSFET (CS13N50FA9R, CS13N50F A9R) TO-220

Транзистор CS13N50 13A, 500V, MOSFET (CS13N50FA9R, CS13N50F A9R) TO-220 MOSFET-транзистор CS13N50 Загальні параметри: Виробники / Бренд: Huajing Microelectronics Технологічна база: Planar VDMOS Technology Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний силовий MOSFET-транзистор із вбудованим діодом зворотного струму Виконання корпусу: TO-220 (відкритий металевий фланець, на відміну від повністю пластикового корпусу версії з індексом F) Електричні параметри (Гранично допустимі значення): Максимальна напруга стік-витік Vdss: 500 В Максимальна напруга затвор-витік Vgss: ±30 В Постійний струм стоку Id при 25°C: 13 А Постійний струм стоку Id при 100°C: 8.1 А Піковий імпульсний струм стоку Idm: 52 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 142 Вт (значно вища завдяки ефективному відведенню тепла через металеву основу) Статичні та динамічні характеристики транзистора: Опір стоку в увімкненому стані Rds(on) типовий: 0.43 Ом Максимальний опір стоку Rds(on) max: 0.52 Ом Порогова напруга ввімкнення затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В Повний заряд затвора Qg: 42 нКл Вхідна ємність Ciss: 1710 пФ Вихідна ємність Coss: 178 пФ Час затримки вимкнення td(off): 65 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vsd: 1.5 В Максимальний постійний прямий струм діода Is: 13 А Час зворотного відновлення діода trr: 430 нс Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C Тепловий опір перехід–корпус Rthjc: 0.88 °C/Вт (суттєво покращений тепловий опір порівняно з ізольованою версією) Контроль надійності: 100% Avalanche Tested від виробника Область застосування та використання: Основне призначення: Високовольтний комутаційний ключ для мережевих імпульсних джерел живлення, де потрібне високе розсіювання теплової потужності. Сумісні пристрої: Потужні мережеві адаптери, блоки живлення стаціонарних комп'ютерів і серверів, світлодіодні прожектори, джерела безперебійного живлення. Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, активні схеми корекції коефіцієнта потужності (PFC), мостові та напівмостові ШІМ-регулятори.