Транзистор YGW40N65F1 Оригінал!!! 80A/40A 650V IGBT (заміна для YGW50N65F1) TO247 40n60, 40n60

Транзистор YGW40N65F1 IGBT LUXIN SEMI 650V /40A Trench Field Stop IGBT Технічні характеристики IGBT-транзистора YGW40N65F1 Загальні параметри: Виробники / Бренд: Yipower Technology Технологічна база: Field Stop Trench IGBT Technology Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму FRD Виконання корпусу: TO-247 Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В (в окремих комутаційних режимах до ±30 В) Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 80 А Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 40 А Піковий імпульсний струм колектора Icm: 160 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 320 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.65 В при номінальному струмі 40 А, напрузі затвора 15 В та температурі 25°C Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.10 В Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В Повний заряд затвора Qg: ~95 нКл при напрузі керування 15 В Вхідна ємність Ciss: ~2450 пФ Час затримки вимкнення tdoff: ~115-145 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 1.45 В при прямому струмі 40 А Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.95 В Час зворотного відновлення діода trr: ~85 нс швидкий діод FRD з м'яким відновленням для придушення комутаційних сплесків Максимальний прямий струм діода If: 40 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.47 °C/Вт