Транзистор H20PR5 Assembled in Germany, 40A/20A 1350V IGBT IHW20N135R5, IHW20N135R5XKSA1

Технічні характеристики IGBT-транзистора H20PR5 Загальні параметри: Виробники / Бренд: Infineon Technologies заводське маркування моделі IHW20N135R5 Технологічна база: TRENCHSTOP 5 Резонансна технологія серії R5 Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із вбудованим монолітним діодом зворотного струму Виконання корпусу: TO-247 Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 1350 В Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В в імпульсних режимах до ±30 В Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 40 А Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 20 А Піковий імпульсний струм колектора Icm: 60 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 288 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.55...1.65 В при номінальному струмі 20 А, напрузі затвора 15 В та температурі 25°C Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.05 В Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 5.1...6.4 В при струмі колектора 0.2 мА Повний заряд затвора Qg: ~43 нКл при напрузі затвора 15 В Вхідна ємність Ciss: ~1350 пФ Час затримки вимкнення tdoff: ~220 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 1.45...1.65 В при прямому струмі 20 А Максимальна пряма напруга діода Vf max: 2.05 В Час зворотного відновлення діода trr: ~150-240 нс Максимальний прямий струм діода If: 40 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.52 °C/Вт