Транзистор YGW60N65F1 Оригінал!!! 120A/60A, 650V, IGBT (заміна для YGW50N65F1, DXG60N65HSE) TO247 60n60, 60n60

Транзистор YGW60N65F1 IGBT (Заміна DXG60N65HSEU) Технічні характеристики IGBT-транзистора YGW60N65F1 Загальні параметри: Виробники / Бренд: Yipower Technology Технологічна база: Field Stop Trench IGBT Technology Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму FRD Виконання корпусу: TO-247 Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В (в окремих комутаційних режимах до ±30 В) Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 120 А Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 60 А Піковий імпульсний струм колектора Icm: 240 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 390 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.65 В при номінальному струмі 60 А, напрузі затвора 15 В та температурі 25°C Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.10 В Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В Повний заряд затвора Qg: ~145 нКл при напрузі затвора 15 В Вхідна ємність Ciss: ~3380 пФ Час затримки вимкнення tdoff: ~120-155 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 1.45 В при прямому струмі 60 А Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.95 В Час зворотного відновлення діода trr: ~90 нс швидкий діод FRD з м'яким відновленням для придушення комутаційних сплесків Максимальний прямий струм діода If: 60 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.38 °C/Вт Заміна для YGW50N65F1)