Транзистор XNS15N120T Оригінал 15A, 1200V, IGBT (заміна xns15n120t, igw15t120f, BT15T120, g15n120d,H15R1202)

Транзистор XNS15N120T XINER Технічні характеристики IGBT-транзистора XNS15N120T Загальні параметри: Виробники / Бренд: Xiner Технологічна база: Advanced Trench Field Stop Technology Trench FS Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму FRD Виконання корпусу: TO-247 Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 1200 В Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 20°C / 25°C максимальний: 25...30 А Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 15 А Піковий імпульсний струм колектора Icm: 45...60 А Час стійкості до короткого замикання tsc: 10 мкс при напрузі затвора 15 В Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.70...2.10 В при номінальному струмі 15 А, напрузі затвора 15 В та температурі 25°C Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.50 В Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 5.0...6.5 В при струмі колектора 400 мкА Позитивний температурний коефіцієнт: стабільна паралельна комутація при високих температурах Вхідний імпеданс: високий показник для швидкого динамічного перемикання Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 1.75...1.95 В при номінальному струмі Особливості діода: інтегрований швидкісний діод для надійного захисту від індуктивних викидів струму Максимальний постійний прямий струм діода If: 15 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +125 °C Експлуатаційна сумісність: оптимізовано для промислових інверторів, частотних приводів та побутових індукційних плит