Транзистор YGW60N65T1 Оригинал!!! 120A/60A, 650V, IGBT (YGW50N65TF1, FGW60N65WE, 60G65WE, 60G65WD) TO247

Транзистор YGW60N65T1 IGBT (замена для YGW50N65T1YGW50N65TF1, FGW60N65WE , 60G65WE , 60G65WD IGBT-транзистор YGW60N65T1 Общие параметры: Производители / Бренд: Luxinsemi Технологичная база: Trench Field Stop Technology Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-247 Электрические параметры (Игрально допустимые значения): Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 120А Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 60А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 180А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 333 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.70 В Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.20 В Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 5.0...6.5 В Полный заряд затвора Qg: 125 нКл Входная емкость Ciss: 2950 пФ Время задержки отключения tdoff: 95 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.85 В Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 60А Время обратного восстановления диода trr: 65 нс Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.45 °C/Вт Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 0.72 °C/Вт Область применения и использования: Основное назначение: Высокомощный коммутационный ключ для инверторных систем, сварочного оборудования и солнечных преобразователей. Совместимые устройства: Промышленные сварочные инверторы, мощные источники бесперебойного питания (UPS) и солнечные трекеры. Системы управления: Высокочастотные импульсные схемы преобразования энергии, ШИМ-регуляторы мощных электроприводов и активные корректора коэффициента мощности (PFC).