Транзистор FTP08N06A Оригинал!!! 120A, 60V, MOSFET (Замена для FQP08N06, G4N024PM) корпус TO-220

FTP08N06A- мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220. Замена для FQP08N06, G4N024PM MOSFET-транзистор FTP08N06A Общие параметры: Производители / Бренд: InPower Semiconductor (IPS) Технологичная база: Power MOSFET Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-220 Электрические параметры (Игрально допустимые значения): Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 55 В Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±20 В Постоянный ток стока Id при 25°C: 120А Пиковый импульсный ток стока Idm: 480А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 230 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on): 0.008 Ом Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В Полный заряд затвора Qg: ~110 нКл Входная емкость Ciss: ~4200 пФ Выходная емкость Coss: ~985 пФ Время нарастания тока tr: 58 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vsd: 1.5 В Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 120А Время обратного восстановления диода trr: ~70 нс Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 0.65 °C/Вт Тепловое сопротивление переход-среда Rthja: 62.5 °C/Вт Область применения и использования: Основное назначение: Силовой коммутационный ключ с низким сопротивлением канала для низковольтных схем с большими токами. Совместимые устройства: Автомобильная электроника, мощные DC-DC преобразователи, платы защиты и балансировки аккумуляторов (BMS), инверторы. Системы управления: Высокоточные ШИМ-регуляторы скорости двигателей, импульсные стабилизаторы питания и электронные ключи коммутации нагрузки.