Транзистор 40T65QES Оригинал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247

Транзистор 40T65QES Оригинал ( MBQ40T65QES ), TO247 (Заміна для 40T65FDSC, MBQ40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FESC, 40T65HD, BGN40T65HD) IGBT-транзистор 40T65QES (MBQ40T65QES) Общие параметры: Производители / Бренд: MagnaChip Semiconductor Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-247 Электрические параметры (Игрально допустимые значения): Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В Постоянный ток коллектора Ic при 20°C: 80А Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 40А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 160 А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 230 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.85 В Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.30 В Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 3.5...6.5 В Полный заряд затвора Qg: 115 нКл Входная емкость Ciss: 1565 пФ Выходная емкость Coss: 65 пФ Время задержки отключения tdoff: 105 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.50 В Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 20 А Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.95 В Время обратного восстановления диода trr: 55 нс Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.65 °C/Вт Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 1.75 °C/Вт Область применения и использования: Основное назначение: Высокоскоростной силовой переключатель с низким уровнем потерь для оснащения с жесткими режимами коммутации. Совместимые устройства: Инверторные сварочные аппараты, солнечные инверторы, источники бесперебойного питания (ДБЖ / UPS). Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные схемы коррекции коэффициента мощности (PFC) и ШИМ-контроллеры инверторных приводов.