Транзистор CRST041N08N Оригинал!!! 120A/109A, 85V, MOSFET (Замена HY3205) корпус TO-220

CRST041N08N - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220. Замена HY3205 MOSFET-транзистор CRST041N08N Общие параметры: Производители / Бренд: CR Micro Технологичная база: SkyMOS1 N-MOSFET Technology Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-220 Электрические параметры (Игрально допустимые значения): Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 85 В Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±20 В Постоянный ток стока Id при 25°C: 120А Постоянный ток стока Id при 100°C: 109 А Пиковый импульсный ток стока Idm: 480А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 208 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 3.4 мОм Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 4.1 мОм Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В Полный заряд затвора Qg: 74 нКл Входная емкость Ciss: 6050 пФ Выходная емкость Coss: 1480 пФ Энергия одиночного лавинного импульса Eas: 272 мДж Параметры встроенного защитного диода: Максимальное прямое напряжение диода Vsd max: 1.4 В Время обратного восстановления диода trr: 76 нс Заряд обратного восстановления Qrr: 97 нКл Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C Контроль надежности: 100% Avalanche Tested и 100% DVDS Tested от производителя Область применения и использования: Основное назначение: Высокоточный низковольтный коммутационный ключ со сверхнизким сопротивлением канала. Совместимые устройства: Контроллеры электросамокатов, гироскутеров и другого электротранспорта, мощные преобразователи напряжения 12/24/48 В, источники бесперебойного питания. Системы управления: Схемы управления и реверса электродвигателей, платы защиты мощных литиевых аккумуляторов.