Транзистор FTP20N50A Оригинал!!! 20A, 500V, MOSFET, TO-220

Транзистор FTP20N50A MOSFET-транзистор FTP20N50A Общие параметры: Производители / Бренд: InPower Semiconductor (IPS) Технологичная база: Power MOSFET Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-220 Электрические параметры (Игрально допустимые значения): Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 500 В Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±30 В Постоянный ток стока Id при 25°C: 20 А Постоянный ток стока Id при 100°C: 12.5А Пиковый импульсный ток стока Idm: 80А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 250 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 0.22 Ом Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 0.26 Ом Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В Полный заряд затвора Qg: ~75 нКл Входная емкость Ciss: ~2600 пФ Выходная емкость Coss: ~330 пФ Время задержки отключения td(off): ~70 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vsd: 1.5 В Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 20 А Время обратного восстановления диода trr: ~420 нс Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 0.5 °C/Вт Контроль надежности: 100% Avalanche Tested от производителя Область применения и использования: Основное назначение: Высоковольтный коммутационный ключ средней мощности для сетевых преобразователей и импульсных источников питания. Совместимые устройства: Сварочные инверторы, источники бесперебойного питания, блоки питания бытовой электроники и ПК. Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные схемы коррекции коэффициента мощности, мостовые и полумостовые ШИМ-регуляторы.