Транзистор NCE82H140 Оригинал!!! 140A/99A, 82V, MOSFET, корпус TO-220

Транзистор NCE82H140, - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-220. MOSFET-транзистор NCE82H140 Общие параметры: Производители / Бренд: Wuxi NCE Power Semiconductor Технологичная база: Advanced Trench Technology Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-220 Электрические параметры (Игрально допустимые значения): Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 82 В Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±20 В Постоянный ток стока Id при 25°C: 140 А Постоянный ток стока Id при 100°C: 99А Пиковый импульсный ток стока Idm: 480А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 220 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 4.3 мОм Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 6.0 мОм Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В Полный заряд затвора Qg: 158 нКл Входная емкость Ciss: 7900 пФ Выходная емкость Coss: 445 пФ Время нарастания тока tr: 42 нс Параметры встроенного защитного диода: Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 140 А Тип диода: Встроенный быстродействующий защитный боди-диод Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Контроль надежности: 100% Avalanche Tested от производителя Область применения и использования: Основное назначение: Силовой коммутационный ключ с низким сопротивлением канала для высоковольтных и высокочастотных схем. Совместимые устройства: Источники бесперебойного питания, контроллеры электротранспорта, мощные преобразователи напряжения, автомобильная электроника. Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, схемы синхронного выпрямления и ШИМ-регуляторы управления инверторными приводами.