Транзистор G75T65AK5SD Оригинал!!! 90A/75A, 650V, IGBT, CRG75T65AK5SD (замена для G75T60AK3SD, CRG75T60AK3SD)

Транзистор оригинальный G75T65AK5SD. CRG75T65AK5SD (замена для G75T60AK3SD, CRG75T60AK3SD) IGBT-транзистор G75T65AK5SD Общие параметры: Производители / Бренд: Goford Semiconductor Технологичная база: Advanced Trench Field Stop Technology Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-247 Электрические параметры (Игрально допустимые значения): Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (импульсная кратковременная устойчивость к ±30 В) Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 150А Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 75А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 300А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 428 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.45 В Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat : 2,1В Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В Полный заряд затвора Qg: ~165 нКл Входная емкость Ciss: ~4150 пФ Выходная емкость Coss: ~145 пФ Время задержки отключения tdoff: ~115 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.60 В Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 75А Время обратного восстановления диода trr: ~58 нс Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.35 °C/Вт Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 0.68 °C/Вт Область применения и использования: Основное назначение: Мощный скоростной силовой коммутационный ключ с низкими потерями на проводимость и динамическое переключение. Совместимые устройства: Промышленные и полупромышленные сварочные инверторы, солнечные фотоэлектрические инверторы, мощные источники бесперебойного питания (ДБЖ / UPS). Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные схемы коррекции коэффициента мощности (PFC), инверторные приводы электродвигателей и трехфазные мостовые схемы.