Транзистор IKW 50H60H3 Оригинал!!! 100A /50A 600V IGBT (замена 50n60, K50H603) TO247

Технические характеристики IGBT-транзистора 50H60H3 Общие параметры: Производители / Бренд: Infineon Technologies заводская маркировка модели IKW50N60H3 Технологичная база: TRENCHSTOP High Speed Switching Series Third Generation H3 Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-247 маркуется на корпусе в виде K50H603 Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 100А Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 50А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 200 А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 333 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.85 В при номинальном токе 50А, напряжении затвора 15В и температуре 25°C Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.30 В Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.1...5.7 В при токе коллектора 0.8 мА Полный заряд затвора Qg: ~310 нКл Входная емкость Ciss: ~2960 пФ при напряжении 25 В Выходная емкость Coss: ~190 пФ Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.55 В при прямом токе 50А Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.95...2.10 В Время обратного восстановления диода trr: ~130-217 нс сверхбыстрый антипараллический диод с мягким восстановлением Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 30А Максимальный постоянный прямой ток диода If при 25°C: 60А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.45 °C/Вт