Транзистор G60T60AN3H Оригинал! 120A/60A 600V IGBT CRG60T60AN3H 60T60AN3H

Технические характеристики IGBT-транзистора G60T60AN3H Общие параметры: Производители / Бренд: CR Micro Технологичная база: Trench Field Stop III Technology Trench FS III Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока FRD Выполнение корпуса: TO-247 Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (в импульсных режимах до ±30 В) Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 120А Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 60А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 240А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 340 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.65 В при номинальном токе 60 А, напряжении затвора 15В и температуре 25°C Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.10 В Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.3...5.7 В при токе коллектора 60 мА Полный заряд затвора Qg: ~112 нКл при напряжении управления 15 В Входная емкость Ciss: ~3480 пФ Выходная емкость Coss: ~145 пФ Время задержки отключения tdoff: ~140-180 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.45 В при прямом токе 60А Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.95 В Время обратного восстановления диода trr: ~85-115 нс быстрый диод с мягким восстановлением для подавления коммутационных выбросов Максимальный прямой ток диода If: 60А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.44 °C/Вт