Транзистор 50T65FESC Оригинал!!! 100A/50A, 650V, IGBT, MBQ50T65FESC , TO247 (650V,50A,375W)

Транзистор 50T65FESC Magnachip IGBT MBQ50T65FESC Технические характеристики IGBT-транзистора 50T65FESC Общие параметры: Производители / Бренд: MagnaChip Semiconductor полная заводская маркировка модели MBQ50T65FESC Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-247 Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 100А Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 50А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 200 А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 375 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.85 В при номинальном токе 50А и напряжении затвора 15 В Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 3.8...6.2 В типичное значение 5.0 В при токе 0.5 мА Полный заряд затвора Qg: ~287 нКл Входная емкость Ciss: ~4453 пФ Выходная емкость Coss: ~238 пФ Время нарастания импульса tr: ~58-60 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.65 В при прямом токе 30 А и температуре 25°C Время обратного восстановления диода trr: ~80 нс ультрабыстрый защитный диод обратного тока Максимальный прямой ток диода If: 50А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Эксплуатационная стойкость: оптимизировано для силовых схем инверторов и сварочных аппаратов