Транзистор 60T65PES Оригинал!!! 100A/60A, 650V, IGBT ( MBQ60T65PESM, FHA60T65 ) , TO247 (650V,60A,535W)

Транзистор 60T65PES Magnachip IGBT Технические характеристики IGBT-транзистора 60T65PES Общие параметры: Производители / Бренд: MagnaChip Semiconductor полная заводская маркировка модели MBQ60T65PES Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока FRD Выполнение корпуса: TO-247 Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 120А Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 60А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 240А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 405 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.85 В при номинальном токе 60 А и напряжении затвора 15 В Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 3.8...6.2 В типичное значение 5.0 В Полный заряд затвора Qg: ~310 нКл Входная емкость Ciss: ~4900 пФ Выходная емкость Coss: ~260 пФ Время спада импульса tf: ~65 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.70 В при прямом токе 60 А Время обратного восстановления диода trr: ~90-115 нс быстрый диод с мягким восстановлением Максимальный прямой ток диода If: 60А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.37 °C/Вт