Транзистор YGW75N65F1 Оригинал!!! 150A/75A, 650V, IGBT (замена для YGW75N65HP) TO-247

Транзистор YGW75N65F1 IGBT (замена для YGW75N65HP) Технические характеристики IGBT-транзистора YGW75N65F1 Общие параметры: Производители / Бренд: Yipower Technology Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока FRD Выполнение корпуса: TO-247 Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (в отдельных импульсных режимах до ±30 В) Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 150А Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 75А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 300А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 460 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.65 В при номинальном токе 75 А, напряжении затвора 15В и температуре 25°C Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.10 В Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В Полный заряд затвора Qg: ~180 нКл при напряжении затвора 15 В Входная емкость Ciss: ~4250 пФ Время задержки отключения tdoff: ~130-165 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.45 В при прямом токе 75А Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.95 В Время обратного восстановления диода trr: ~95 нс быстрый диод FRD с мягким восстановлением для подавления коммутационных всплесков Максимальный прямой ток диода If: 75А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.32 °C/Вт