Транзистор 40N60FD1 Оригинал!!! 80A/40A, 600V, IGBT(замена для FGH40N60SF, FGH40N60, 40N60 FGH40N60SFDTU TO247

Транзистор 40N60FD1 IGBT Замена для FGH40N60SF, FGH40N60, 40N60, FGH40N60SFDTU Технические характеристики IGBT-транзистора 40N60FD1 Общие параметры: Производители / Бренд: Silan Microelectronics (полное заводское маркировки серии SGT40N60FD1) Технологичная база: Field Stop IGBT Technology Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым диодом обратного тока FRD Выполнение корпуса: TO-247 / TO-3P Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 80А Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 40А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 120...160 А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 270...312 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 2.20 В при номинальном токе 40 А и напряжении затвора 15 В Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.0 В Входная емкость Ciss: ~1950 пФ при напряжении 30 В Выходная емкость Coes: ~185 пФ Типичное время задержки включения tdon: ~32 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.50...1.80 В при номинальном прямом токе Время обратного восстановления диода trr: быстрый антипараллический FRD диод для подавления коммутационных выбросов и защиты в импульсных режимах Максимальный прямой ток диода If: 40А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: низкое термическое сопротивление для систем интенсивного охлаждения сварочных инверторов и источников бесперебойного питания