Транзистор FGH40N60SMD Оригинал!!! 80A/40A, 600V, IGBT (замена для FGH40N60SF, FGH40N60, 40N60 TO-247)

Транзистор FGH40N60SMD Оригинальный!!! IGBT Замена для FGH40N60SF, FGH40N60, 40N60, FGH40N60SFDTU Технические характеристики IGBT-транзистора FGH40N60SMD Общие параметры: Производители / Бренд: Fairchild Semiconductor / ON Semiconductor Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-247 Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В (в отдельных коммутационных режимах до ±30 В) Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 80А Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 40А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 120А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 349 Вт Время устойчивости к короткому замыканию tsc: 5 мкс при температуре 150°C Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.80 В при номинальном токе 40 А, напряжении затвора 15 В и температуре 25°C Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.40 В Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В при токе коллектора 40 мА Полный заряд затвора Qg: ~116 нКл при напряжении затвора 15 В Входная емкость Ciss: ~1880 пФ Выходная емкость Coss: ~180 пФ Время задержки отключения tdoff: ~90-115 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.80 В при прямом токе 20 А и температуре 25°C Время обратного восстановления диода trr: ~35-50 нс быстрый диод обратного тока для мягкой и безопасной коммутации Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 20 А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.43 °C/Вт Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 1.20 °C/Вт