Транзистор G40T60AK3HD Оригинал! 80A/40A, 600V, IGBT, (замена G40T60AN3H )TO-247

Транзистор оригинальный G40T60AK3HD. CRG40T60AK3HD (замена G40T60AN3H ) IGBT-транзистор G40T60AK3HD Общие параметры: Производители / Бренд: CR Micro Технологичная база: Advanced Trench Field Stop IGBT Technology Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-247 Электрические параметры (Игрально допустимые значения): Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 80А Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 40А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 120А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 336 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.85 В – 1.90 В Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В Полный заряд затвора Qg: 239 нКл Входная емкость Ciss: оптимизирована для высокочастотных инверторных схем Выходная емкость Coss: 141 пФ Время нарастания тока ton: 56 нс Время снижения тока tof: 178 нс Параметры встроенного защитного диода: Максимальный постоянный прямой ток диода If: 80А Пиковый импульсный ток диода IFm: 120А Время обратного восстановления диода trr: 48 нс Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Особенности монтажа: Рекомендовано использование радиатора с термопастой для стабильного отвода тепла Область применения и использования: Основное назначение: Силовой скоростной коммутационный ключ средней мощности для высокочастотных инверторных архитектуре. Совместимые устройства: Современные инверторные сварочные аппараты, солнечные и фотоэлектрические инверторы, источники бесперебойного питания. Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, active PFC схемы коррекции коэффициента мощности и ШИМ-контроллеры электроприводов.