Транзистор XNF20N60T Оригинал!!! 20A, 600V, IGBT, TO-220F

Технические характеристики IGBT-транзистора XNF20N60T Общие параметры: Производители / Бренд: Xiner Технологичная база: Advanced Trench+FS Field Stop IGBT Technology Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-220F полностью изолирован пластиковый корпус Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 40А Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 20 А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 60...80 А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 14...34 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.70 В при номинальном токе 20 А, напряжении затвора 15 В и температуре 25°C Положительный температурный коэффициент: легкое параллельное соединение транзисторов благодаря росту напряжения Vce при нагревании Входной импеданс: высокое сопротивление для снижения мощности управления затвором Скорость коммутации: оптимизировано для минимальных динамических потерь на высоких частотах Параметры встроенного защитного диода: Максимальный постоянный прямой ток диода If при 25°C: 20 А Конфигурация защиты: интегрированный скоростной диод для надежной работы с индуктивными нагрузками Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +175 °C Эксплуатационная совместимость: разработано для универсальных инверторов общего назначения, систем управления двигателями и интеллектуальных силовых модулей