Транзистор MS30N100HGCO Оригинал!!! 30A, 1000V, MOSFET, TO-247

MOSFET-транзистор MS30N100HGCO Общие параметры: Производители / Бренд: MASPOWER / HuanXin Технологичная база: High Voltage Power MOSFET Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-247 Электрические параметры (Игрально допустимые значения): Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 1000 В Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±30 В Постоянный ток стока Id при 25°C: 30А Постоянный ток стока Id при 100°C: 32.3 А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 290 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on) типичное: 280 мОм Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 390 мОм Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 3.3...4.5 В Полный заряд затвора Qg: 96 нКл Входная емкость Ciss: 4690 пФ Выходная емкость Coss: 421 пФ Параметры встроенного защитного диода: Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 30А Тип диода: Встроенный быстродействующий защитный боди-диод Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +150 °C Эффективность охлаждения: Корпус оптимизирован под монтаж на большие радиаторы силовых устройств Область применения и использования: Основное назначение: Высоковольтный скоростной силовой переключатель для сетевых инверторных систем, работающих с большими напряжением. Совместимые устройства: Промышленные источники бесперебойного питания, мощные солнечные инверторы, высоковольтные импульсные блоки питания, сварочное оборудование. Системы управления: Высокочастотные преобразователи энергии, ШИМ-регуляторы мощности и мостовые топологии коммутации нагрузки.