Транзистор SGT75T65SDM1 Оригинал! 150A/75A 650V IGBT (замена 75T65SDM1, 75T65S DM1, 75T65SDM1, SGT75T65S DM1P7)

Технические характеристики IGBT-транзистора SGT75T65SDM1 Общие параметры: Производители / Бренд: Silan Microelectronics Технологичная база: Field Stop III IGBT Technology Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока FRD Выполнение корпуса: TO-247 Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 150А Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 75А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 300А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 375...416 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.65 В при номинальном токе 75А, напряжении управления 15В и температуре 25°C Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...7.0 В при токе 250 мкА Ток утечки коллектор-эмитер Ices: не более 200 мкА при напряжении 650 В Ток утечки затвор-эмитер Iges: ±400 нА Параметры встроенного защитного диода: Максимальный постоянный прямой ток диода If при 25°C: 75А Типичное время обратного восстановления диода trr: ~45-50 нс быстрый диод с мягким восстановлением для подавления коммутационных выбросов Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: низкое сопротивление для промышленного охлаждения