Транзистор FGH40T120SMD, Оригинал!!! 80A/40A, 1200V, IGBT, FGH40T120 SMD, TO-247

IGBT-транзистор FGH40T120SMD Общие параметры: Производители / Бренд: ON Semiconductor / Fairchild Semiconductor Технологичная база: Field Stop Trench IGBT Technology Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный скоростной IGBT со встроенным антипараллическим диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-247-3 Электрические параметры (Игрально допустимые значения): Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 1200 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±25 В Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 80А Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 40А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 160 А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 555 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.80 В Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.40 В Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.9...7.5 В Полный заряд затвора Qg: 370 нКл Входная емкость Cies: 4300 пФ Выходная емкость Coes: 180 пФ Время задержки отключения td(off): 475 нс Параметры встроенного защитного диода: Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 40А Пиковый импульсный ток диода Ifm: 240А Время обратного восстановления диода trr: 65 нс Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.27 °C/Вт Контроль надежности: 100% проверка зажатой индуктивной нагрузки от производителя Область применения и использования: Основное назначение: Скоростной высоковольтный коммутационный ключ высокой мощности, оптимизированный для систем с жестким типом переключения. Совместимые устройства: Мощные инверторные сварочные аппараты, промышленные источники бесперебойного питания, солнечные и фотоэлектрические инверторы. Системы управления: Высокочастотные импульсные преобразователи напряжения большой мощности, мощные активные каскады и схемы коррекции коэффициента мощности.