Транзистор CS160N06A8 A8 Оригинал!!! 160A, 60V, MOSFET (160N06, CS160N06A8, CS160N06) TO-220

Общие параметры CS160N06A8: Производители / Бренд: CR Micro Технологичная база: Advanced Trench Technology Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET Выполнение корпуса: TO-220 Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 60 В Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В Постоянный ток стока Ic при температуре фланца 25°C: 160 А (кремниевое ограничение кристалла до 180 А) Постоянный ток стока Ic при температуре фланца 100°C: 104А (в отдельных ревизиях до 116 А) Пиковый импульсный ток стока Idm: 720А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 245 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 2.4 мОм при напряжении затвора 10 В (максимальное значение до 3.2 мОм) Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В Полный заряд затвора Qg: ~86.2 нКл Время задержки включения tdon: ~25-35 нс Время задержки отключения tdoff: ~110-130 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.20 В при прямом токе 80 А Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.40 В Время обратного восстановления trr: ~65-85 нс Максимальный прямой ток диода If: 160 А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.51 °C/Вт