Транзистор CRSQ027N10NZ Оригинал!!! 240A, 100V, MOSFET, TO-247

CRSQ027N10NZ - мощный полевой N-канальный транзистор в корпусе TO-247. Общие параметры: Производители / Бренд: CR Micro Технологичная база: Advanced SkyMOS1 Technology Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET Выполнение корпуса: TO-247 Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 100 В Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 273 А Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C ограничения корпуса: 180А Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C кремниевое ограничение: 177 А Пиковый импульсный ток стока Idm: 720А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 454 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 2.6 мОм при напряжении затвора 10 В Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 3.1 мОм Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В Полный заряд затвора Qg: ~169 нКл Время задержки включения tdon: ~30-45 нс Время задержки отключения tdoff: ~120-150 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.20 В при прямом токе 90 А Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 1.40 В Время обратного восстановления trr: ~101 нс Максимальный прямой ток диода If: 180А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: