Транзистор OST75N65HMF Оригинал!!! 75A/150A, 650V IGBT TO-247

Транзистор OST75N65HMF IGBT IGBT Модель OST75N65HMF (производителем часто маркуется серия как OST75N65HM) - это сверхмощный, высокоэффективный кремниевый IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) нового поколения от известной компании Oriental Semiconductor. Он построен на базе фирменной запатентованной технологии TGBM (Trident-Gate Bipolar Transistor), которая обеспечивает ультранизкое напряжение насыщения и чрезвычайно низкие потери при коммутации. Данная модель массово применяется в инвертрорах солнечных панелей, мощных источниках бесперебойного питания (UPS) и промышленных индукционных преобразователях. Она является более надежной и мощной заменой для распространенных транзисторов типа G60T60 и 60T65. Технические характеристики IGBT-транзистора OST75N65HMF Общие параметры: Производители / Бренд: Oriental Semiconductor Технологичная база: Advanced Trident-Gate Bipolar Transistor TGBM Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-247 для классического выводного монтажа THT Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±30 В Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C: 150А Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 75А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 300А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 395 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.65 В при номинальном токе и напряжении затвора 15 В Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.00 В Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В Полный заряд затвора Qg: ~107 нКл Время задержки включения tdon: ~40-55 нс Время задержки отключения tdoff: ~140-180 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.50 В при прямом токе 75 А Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 2.10 В Время обратного восстановления trr: ~80-115 нс быстрый и мягкий антипараллельный диод FRD Максимальный прямой ток диода If при 100°C: 75А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 0.38 °C/Вт