Транзистор DXG40N65HSEU Оригинал!!! 80A/40A, 650V, IGBT, dxg40n65hse

Технические характеристики IGBT-транзистора DXG40N65HSEU Общие параметры: Производители / Бренд: Daxin Semiconductor Технологичная база: Field Stop Technology FS Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-247 для классического выводного монтажа THT Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 650 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C номинальный: 40А Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный импульсный: 74...80 А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 160...180 А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 255...340 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.65...1.90 В при номинальном токе и напряжении затвора 15 В Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.10 В Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.8...6.0 В Полный заряд затвора Qg: ~79.2...95.0 нКл Входная емкость Ciss: ~2400 пФ Выходная емкость Coes: ~193 пФ Время нарастания импульса tr: ~12...84 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.50 В при прямом токе 40 А Максимальное прямое напряжение диода Vf max: 2.10 В Время обратного восстановления trr: ~85-115 нс быстрый диодный кристалл для защиты от индуктивных выбросов Максимальный прямой ток диода If: 40А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -40 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: ~0.44...0.55 °C/Вт