Транзистор IRF1404 Оригинал!!! 202A/143A 40V MOSFET TO-220 IRF1404PbF (замена CS1404, IRFB1404, FHP1404A)

Характеристики Транзистор IRF1404 Оригинальн!! 202A/143A 40V MOSFET TO-220 IRF1404PbF (замена CS1404, IRFB1404, FHP1404A) Корпус -TO-220 Технические характеристики MOSFET-транзистора IRF1404 Общие параметры: Производители / Бренд: Infineon Technologies / International Rectifier Технологичная база: Advanced HEXFET Power MOSFET Структура транзистора: Мощный полевой N-канальный MOSFET Выполнение корпуса: TO-220 Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 40 В Максимальное напряжение затвор-вилка Vgs: ±20 В Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C кремниевое ограничение: 202А Постоянный ток стока Id при температуре фланца 25°C ограничения корпуса: 75А Постоянный ток стока Id при температуре фланца 100°C: 143А Пиковый импульсный ток стока Idm: 808А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 333 Вт Максимальная одиночная передача энергии Eas: 520 мДж Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное сопротивление открытого канала стекатик Rdson: 3.5 мОм при напряжении затвора 10 В и токе 121 А Максимальное сопротивление открытого канала стекат-вытек Rdson max: 4.0 мОм Пороговое напряжение включения затвора Vgsth: 2.0...4.0 В Полный заряд затвора Qg: ~131 нКл при напряжении затвора 10 В Входная емкость Ciss: ~5600 пФ Выходная емкость Coss: ~2100 пФ Время задержки включения tdon: ~17 нс Время задержки отключения tdoff: ~72 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.30 В при прямом токе 121 А и напряжении затвора 0 В Время обратного восстановления trr: ~74-110 нс Максимальный прямой ток диода If: 202А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +175 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для MOSFET Rthjc: 0.45 °C/Вт