Транзистор CS160N06A8 Оригінал!!! 160A, 60V, MOSFET (160N06, CS160N06A8, CS160N06) TO-220

Загальні параметри CS160N06A8: Виробники / Бренд: CR Micro Технологічна база: Advanced Trench Technology Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET Виконання корпусу: TO-220 Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга стік-витік Vdss: 60 В Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В Постійний струм стоку Ic при температурі фланця 25°C: 160 А (кремнієве обмеження кристала до 180 А) Постійний струм стоку Ic при температурі фланця 100°C: 104 А (в окремих ревізіях до 116 А) Піковий імпульсний струм стоку Idm: 720 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 245 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 2.4 мОм при напрузі затвора 10 В (максимальне значення до 3.2 мОм) Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В Повний заряд затвора Qg: ~86.2 нКл Час затримки ввімкнення tdon: ~25-35 нс Час затримки вимкнення tdoff: ~110-130 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 1.20 В при прямому струмі 80 А Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.40 В Час зворотного відновлення trr: ~65-85 нс Максимальний прямий струм діода If: 160 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.51 °C/Вт