Транзистор NCE60TD65BT, Оригінал! 60A/120A, 650V, TO-247

NCE60TD65 Оригінал. NCE60TD65BT 60A/120A, 650V, TO-247 Новий. Модель NCE60TD65 — це високошвидкісний сильний кремнієвий IGBT-транзистор (біполярний транзистор із ізольованим затвором) нового покоління від компанії NCE Power. Він побудований на базі фірмової прогресивної технології Trench FS II (Trench Field Stop) Технічні характеристики IGBT-транзистора NCE60TD65BT Загальні параметри: Виробники / Бренд: NCE Power Технологічна база: Trench Field Stop II Конфігурація кристала: IGBT із інтегрованим швидким діодом зворотного струму Виконання корпусу: TO-247 Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±30 В Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C: 120 А Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C: 60 А Піковий імпульсний струм колектора Icm: 180 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 319 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.60 В при номінальному струмі 60 А та напрузі затвора 15 В Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.10 В Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В Повний заряд затвора Qg: ~262 нКл Час затримки ввімкнення tdon: ~19 нс Час затримки вимкнення tdoff: ~170 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 1.45 В при прямому струмі 60 А Максимальна пряма напруга діода Vf max: 2.00 В Час зворотного відновлення trr: ~186 нс Максимальний прямий струм діода If при 100°C: 60 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.47 °C/Вт