Транзистор NCE60H15A Оригінал!!! 150A, 60V, MOSFET корпус TO-220

Транзистор NCE60H15A, - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220. Технічні характеристики MOSFET-транзистора NCE60H15A Загальні параметри: Виробники / Бренд: NCE Power Технологічна база: Advanced Trench Technology Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET Виконання корпусу: TO-220 Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга стік-витік Vdss: 60 В Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C: 150 А Піковий імпульсний струм стоку Idm: ~480-600 А (залежно від тривалості імпульсу на кристалі) Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 220 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 3.1 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 75 А Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 4.0...4.5 мОм Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В Повний заряд затвора Qg: ~130.8 нКл Час затримки ввімкнення tdon: ~15-25 нс Час затримки вимкнення tdoff: ~70-95 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 1.20 В при прямому струмі 75 А Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.40 В Час зворотного відновлення trr: ~45-65 нс Максимальний прямий струм діода If: 150 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.68 °C/Вт