Транзистор RU6199R Оригінал!!! 200A, 60V, MOSFET TO-220

RU6199- потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-220. Модель RU6199R — це надпотужний кремнієвий польовий N-канальний MOSFET-транзистор від компанії Ruichips Semiconductor. Завдяки дуже низькому опору відкритого каналу та здатності працювати з великими струмами, він широко використовується в автомобільній електроніці, потужних інверторах живлення, джерелах безперебійного живлення (SMPS) та швидкісних комутаційних схемах. Технічні характеристики MOSFET-транзистора RU6199R Загальні параметри: Виробники / Бренд: Ruichips Semiconductor Технологічна база: Advanced Power MOSFET Technology Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET Виконання корпусу: TO-220 Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга стік-витік Vdss: 60 В Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±25 В Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 200 А Постійний струм стоку Id обмеження корпусу TO-220: 75 А Піковий імпульсний струм стоку Idm: 800 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 380 Вт (в окремих ревізіях документації виробника вказується 300 Вт) Static та динамічні характеристики транзистора: Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 2.8 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 40 А Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 3.5...3.7 мОм Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В Повний заряд затвора Qg: ~110-140 нКл Час затримки ввімкнення tdon: ~22 нс Час затримки вимкнення tdoff: ~75 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 0.80 В при прямому струмі 40 А Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.30 В Час зворотного відновлення trr: ~75 нс Максимальний прямий струм діода If: 200 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.45 °C/Вт