Транзистор OST75N65HMF Оригінал!!! 75A/150A, 650V IGBT TO-247

Транзистор OST75N65HMF IGBT IGBT Модель OST75N65HMF (виробником часто маркується серія як OST75N65HM) — це надпотужний, високоефективний кремнієвий IGBT-транзистор (біполярний транзистор із ізольованим затвором) нового покоління від відомої компанії Oriental Semiconductor. Він побудований на базі фірмової запатентованої технології TGBM (Trident-Gate Bipolar Transistor), яка забезпечує ультранизьку напругу насичення та надзвичайно низькі втрати при комутації. Дана модель масово застосовується в інверторах сонячних панелей, потужних джерелах безперебійного живлення (UPS) та промислових індукційних перетворювачах. Вона є надійною та потужнішою заміною для поширених транзисторів типу G60T60 та 60T65. Технічні характеристики IGBT-транзистора OST75N65HMF Загальні параметри: Виробники / Бренд: Oriental Semiconductor Технологічна база: Advanced Trident-Gate Bipolar Transistor TGBM Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким діодом зворотного струму Виконання корпусу: TO-247 для класичного вивідного монтажу THT Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±30 В Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C: 150 А Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 75 А Піковий імпульсний струм колектора Icm: 300 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 395 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.65 В при номінальному струмі та напрузі затвора 15 В Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.00 В Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В Повний заряд затвора Qg: ~107 нКл Час затримки ввімкнення tdon: ~40-55 нс Час затримки вимкнення tdoff: ~140-180 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 1.50 В при прямому струмі 75 А Максимальна пряма напруга діода Vf max: 2.10 В Час зворотного відновлення trr: ~80-115 нс швидкий та м'який антипаралельний діод FRD Максимальний прямий струм діода If при 100°C: 75 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.38 °C/Вт