Транзистор CMH20N50 Оригінал!!! 20A, 500V, MOSFET TO-247

Модель CMH20N50 — це потужний кремнієвий високовольтний польовий N-канальний MOSFET-транзистор від компанії Cmos. Завдяки підвищеній стійкості до високих енергій імпульсів у лавинному режимі (Avalanche Mode) та мінімізованому опору відкритого каналу, він масово використовується в джерелах безперебійного живлення (UPS), DC/DC перетворювачах, підсилювачах потужності та активних схемах корекції коефіцієнта потужності (PFC). Технічні характеристики MOSFET-транзистора CMH20N50 Загальні параметри: Виробники / Бренд: Cmos Технологічна база: Advanced Power MOSFET Technology Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET Виконання корпусу: TO-247 для класичного вивідного монтажу THT Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга стік-витік Vdss: 500 В Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±30 В Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C номінальний: 20 А Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C: 11 А Піковий імпульсний струм стоку Idm: 60 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 280 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 0.26 Ом при напрузі затвора 10 В Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В Повний заряд затвора Qg: ~52 нКл Час наростання імпульсу tr: ~88 нс Вихідна ємність Coss: ~2500 пФ (в окремих комутаційних режимах до 380 пФ