Транзистор TK100E08N1 Оригінал!!! 100A, 80V, MOSFET корпус TO-220

Технічні характеристики MOSFET-транзистора TK100E08N1 Загальні параметри: Виробники / Бренд: Toshiba Технологічна база: U-MOSVIII Technology Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET Виконання корпусу: TO-220 Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга стік-витік Vdss: 80 В Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C номінальний: 100 А Піковий імпульсний струм стоку Idm: 300 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 190 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 2.6 мОм при напрузі затвора 10 В та струмі 50 А Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 3.1 мОм Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В Повний заряд затвора Qg: ~105 нКл при напрузі затвора 10 В Вхідна ємність Ciss: ~7700 пФ Час затримки ввімкнення tdon: ~20 нс Час затримки вимкнення tdoff: ~58 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 0.88 В при прямому струмі 100 А Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.20 В Час зворотного відновлення trr: ~62 нс Максимальний прямий струм діода If: 100 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: 0.79 °C/Вт