Транзистор H20R1353 Оригінал!!! 40A/20A 1350V IGBT IHW20N135R3 TO-247

Технічні характеристики IGBT-транзистора H20R1353 Загальні параметри: Виробники / Бренд: Infineon Technologies заводське маркування моделі IHW20N135R3 Технологічна база: TRENCHSTOP 3 Резонансна технологія серії R3 Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із вбудованим монолітним діодом зворотного струму Виконання корпусу: TO-247 Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 1350 В Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В в імпульсних режимах до ±30 В Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 40 А Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 20 А Піковий імпульсний струм колектора Icm: 60 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 333 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.60 В при номінальному струмі 20 А та напрузі затвора 15 В Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.05 В Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 5.1...6.4 В Повний заряд затвора Qg: ~200 нКл при напрузі затвора 15 В Вхідна ємність Ciss: ~1480 пФ при напрузі 25 В Час спаду імпульсу tf: ~280 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 1.60 В при прямому струмі 20 А Максимальна пряма напруга діода Vf max: 2.05 В Максимальний прямий струм діода If: 40 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.45 °C/Вт