Транзистор H30PR5 Оригінал!!! 60A/30A, 1350V, IGBT, TO-247 (Заміна для H30MR5, H30R1203, H30R1353, FGA25N120)

Технічні характеристики IGBT-транзистора H30PR5 Загальні параметри: Виробники / Бренд: Infineon Technologies Технологічна база: TRENCHSTOP 5 Резонансна технологія серії R5 Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із вбудованим монолітним діодом зворотного струму Виконання корпусу: TO-247 Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 1350 В Максимальна напруга затвор-витік Vges: ±20 В (в імпульсних режимах до ±30 В) Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 60 А Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 30 А Піковий імпульсний струм колектора Icm: 90 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 333 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.65 В при номінальному струмі 30 А та напрузі затвора 15 В Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.05 В Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 5.1...6.4 В Повний заряд затвора Qg: ~235 нКл при напрузі затвора 15 В Вхідна ємність Ciss: ~1800 пФ Час затримки вимкнення tdoff: ~220 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 1.65 В при прямому струмі 30 А Максимальна пряма напруга діода Vf max: 2.05 В Час зворотного відновлення діода trr: ~150-240 нс Максимальний прямий струм діода If: 60 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.45 °C/Вт