Транзистор 40T65QES Оригінал!!! 80A/40A, 650V, IGBT (MBQ40T65QES, 40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FES) TO247

Транзистор 40T65QES Оригинал ( MBQ40T65QES ), TO247 (Заміна для 40T65FDSC, MBQ40T65FDSC, MBQ40T65FESC, 40T65FESC, 40T65HD, BGN40T65HD) IGBT-транзистор 40T65QES (MBQ40T65QES) Загальні параметри: Виробники / Бренд: MagnaChip Semiconductor Технологічна база: Field Stop Trench IGBT Technology Конфігурація кристала: Поодинокий N-канальний IGBT із вбудованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму Виконання корпусу: TO-247 Електричні параметри (Гранично допустимі значення): Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 650 В Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В Постійний струм колектора Ic при 20°C: 80 А Постійний струм колектора Ic при 100°C: 40 А Піковий імпульсний струм колектора Icm: 160 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 230 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.85 В Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.30 В Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 3.5...6.5 В Повний заряд затвора Qg: 115 нКл Вхідна ємність Ciss: 1565 пФ Вихідна ємність Coss: 65 пФ Час затримки вимкнення tdoff: 105 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 1.50 В Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 20 А Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.95 В Час зворотного відновлення діода trr: 55 нс Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.65 °C/Вт Тепловий опір перехід–корпус для діода Rthjc: 1.75 °C/Вт Область застосування та використання: Основне призначення: Високошвидкісний силовиій перемикач із низьким рівнем втрат для обладнання з жорсткими режимами комутації. Сумісні пристрої: Інверторні зварювальні апарати, сонячні інвертори, джерела безперебійного живлення (ДБЖ / UPS). Системи керування: Високочастотні імпульсні блоки живлення, активні схеми корекції коефіцієнта потужності (PFC) та ШІМ-контролери інверторних приводів.