Транзистор IKW 50H60H3 Оригінал!!! 100A /50A 600V IGBT (заміна 50n60, K50H603) TO247

Технічні характеристики IGBT-транзистора 50H60H3 Загальні параметри: Виробники / Бренд: Infineon Technologies заводське маркування моделі IKW50N60H3 Технологічна база: TRENCHSTOP High Speed Switching Series Third Generation H3 Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму Виконання корпусу: TO-247 маркується на корпусі як K50H603 Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 100 А Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 50 А Піковий імпульсний струм колектора Icm: 200 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 333 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.85 В при номінальному струмі 50 А, напрузі затвора 15 В та температурі 25°C Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.30 В Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.1...5.7 В при струмі колектора 0.8 мА Повний заряд затвора Qg: ~310 нКл Вхідна ємність Ciss: ~2960 пФ при напрузі 25 В Вихідна ємність Coss: ~190 пФ Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 1.55 В при прямому струмі 50 А Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.95...2.10 В Час зворотного відновлення діода trr: ~130-217 нс надшвидкий антипаралельний діод з м'яким відновленням Максимальний постійний прямий струм діода If при 100°C: 30 А Максимальний постійний прямий струм діода If при 25°C: 60 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -40 °C до +175 °C Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: 0.45 °C/Вт