Транзистор SGT 40N60NPFD Оригінал!!! 80A/40A, 600V, IGBT (заміна для FGH40N60SF, FGH40N60, 40N60) TO-3P

Транзистор 40n60npfd IGBT Заміна для FGH40N60SF, FGH40N60, 40N60, FGH40N60SFDTU Технічні характеристики IGBT-транзистора 40N60NPFD Загальні параметри: Виробники / Бренд: Silan Microelectronics (повне заводське маркування серії SGT40N60NPFD) Технологічна база: Field Stop IGBT Technology Конфігурація кристала: Поодинокий IGBT із інтегрованим швидким антипаралельним діодом зворотного струму FRD Виконання корпусу: TO-247 / TO-3P Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга колектор-емітер Vces: 600 В Максимальна напруга затвор-емітер Vges: ±20 В Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 25°C максимальний: 80 А Постійний струм колектора Ic при температурі фланця 100°C номінальний: 40 А Піковий імпульсний струм колектора Icm: 120...160 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 290...312 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типова напруга насичення колектор-емітер Vcesat: 1.80...2.20 В при номінальному струмі 40 А та напрузі затвора 15 В Максимальна напруга насичення колектор-емітер Vcesat max: 2.45...2.50 В Порогова напруга ввімкнення затвора Vgeth: 4.0...6.5 В Вхідна ємність Ciss: ~2100 пФ при напрузі 30 В Вихідна ємність Coes: ~190 пФ Типовий час затримки вимкнення tdoff: ~100-140 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 1.55...1.80 В при номінальному прямому струмі Час зворотного відновлення діода trr: ~40-65 нс швидкий антипаралельний FRD діод із м'яким відновленням для захисту від комутаційних сплесків Максимальний прямий струм діода If: 40 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +150 °C Тепловий опір перехід–корпус для IGBT Rthjc: низький термічний опір для надійного охолодження у зварювальних інверторах та потужних імпульсних джерелах живлення