Транзистор SGT 40N60NPFD Оригинал!!! 80A/40A, 600V, IGBT (замена для FGH40N60SF, FGH40N60, 40N60) TO-3P

Транзистор 40n60npfd IGBT Замена для FGH40N60SF, FGH40N60, 40N60, FGH40N60SFDTU Технические характеристики IGBT-транзистора 40N60NPFD Общие параметры: Производители / Бренд: Silan Microelectronics (полное заводское маркировки серии SGT40N60NPFD) Технологичная база: Field Stop IGBT Technology Конфигурация кристалла: Одиночный IGBT с интегрированным быстрым антипараллальным диодом обратного тока FRD Выполнение корпуса: TO-247 / TO-3P Электрические параметры Предельно допустимые значения: Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 25°C максимальный: 80А Постоянный ток коллектора Ic при температуре фланца 100°C номинальный: 40А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 120...160 А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 290...312 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.80...2.20 В при номинальном токе 40 А и напряжении затвора 15 В Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.45...2.50 В Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.0...6.5 В Входная емкость Ciss: ~2100 пФ при напряжении 30 В Выходная емкость Coes: ~190 пФ Типичное время задержки отключения tdoff: ~100-140 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: 1.55...1.80 В при номинальном прямом токе Время обратного восстановления диода trr: ~40-65 нс быстрый антипараллический FRD диод с мягким восстановлением для защиты от коммутационных всплесков Максимальный прямой ток диода If: 40А Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: низкое термическое сопротивление для надежного охлаждения в сварочных инверторах и мощных импульсных источниках питания