Транзистор G15T60A93L Оригинал!!! 30A/15A, 600V, IGBT, G15T60A83L, CRG15T60A93L, G15T60A93L,CRG15T60A03L

IGBT-транзистор G15T60A83L Общие параметры: Производители / Бренд: Goford Semiconductor Технологичная база: Advanced Trench Field Stop Technology Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный IGBT со встроенным быстрым антипаральным диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-220F Электрические параметры (Игрально допустимые значения): Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vces: 600 В Максимальное напряжение затвор-эмитер Vges: ±20 В Постоянный ток коллектора Ic при 25°C: 30А Постоянный ток коллектора Ic при 100°C: 15 А Пиковый импульсный ток коллектора Icm: 45 А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 31 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Типичное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat: 1.60 В Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмитер Vcesat max: 2.10 В Пороговое напряжение включения затвора Vgeth: 4.5...6.5 В Полный заряд затвора Qg: ~35 нКл Входная емкость Ciss: ~840 пФ Время задержки отключения tdoff: ~68 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vf: ~1.55 В Максимальный постоянный прямой ток диода If при 100°C: 15 А Время обратного восстановления диода trr: ~45 нс Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C Тепловое сопротивление переход-корпус для IGBT Rthjc: 4.0 °C/Вт Тепловое сопротивление переход-корпус для диода Rthjc: 5.0 °C/Вт Область применения и использования: Основное назначение: Маломощные и среднемощные инверторные схемы, требующие высокой частоты переключения. Совместимые устройства: Бытовые индукционные плиты, маломощные источники бесперебойного питания, сварочные аппараты легкого класса. Системы управления: Корректоры коэффициента мощности, блоки питания с ШИМ управлением, драйверы двигателей бытовой техники.