Транзистор P24N60FJD Оригинал!!! 24A/15A, 600V, MOSFET, TO-220F

MOSFET-транзистор P24N60FJD Общие параметры: Производители / Бренд: Silan Microelectronics Технологичная база: Super Junction MOS Technology Конфигурация кристалла: Одиночный N-канальный силовой MOSFET-транзистор со встроенным диодом обратного тока Выполнение корпуса: TO-220FJD Электрические параметры (Игрально допустимые значения): Максимальное напряжение стик-вилка Vdss: 600 В Максимальное напряжение затвор-вилка Vgss: ±30 В Постоянный ток стока Id при 20°C: 24А Постоянный ток стока Id при 100°C: 15 А Пиковый импульсный ток стока Idm: 72А Максимальная рассеиваемая мощность Ptot при 25°C: 48 Вт Статические и динамические характеристики транзистора: Сопротивление стока во включенном состоянии Rds(on): 0.14 Ом Максимальное сопротивление стока Rds(on) max: 0.18 Ом Пороговое напряжение включения затвора Vgs(th): 2.0...4.0 В Полный заряд затвора Qg: 41 нКл Входная емкость Ciss: 1720 пФ Выходная емкость Coss: 82 пФ Время задержки отключения td(off): 75 нс Параметры встроенного защитного диода: Типичное прямое напряжение диода Vsd: 1.4 В Максимальный постоянный прямой ток диода Is: 24А Время обратного восстановления диода trr: 290 нс Тепловые параметры и эксплуатация: Робоча температура кристала Tj: от -55 °C до +150 °C Тепловое сопротивление переход-корпус Rthjc: 2.66 °C/Вт Тепловое сопротивление переход-среда Rthja: 62.5 °C/Вт Область применения и использования: Основное назначение: Высокоэффективный коммутационный ключ для импульсных преобразователей с жесткими и мягкими топологиями переключения. Совместимые устройства: Блоки питания бытовой техники, источника бесперебойного питания, зарядные станции и инверторы. Системы управления: Высокочастотные импульсные блоки питания, активные корректоры коэффициента мощности и схемы управления электродвигателями.