Транзистор CRSQ027N10NZ Оригінал!!! 240A, 100V, MOSFET, TO-247

CRSQ027N10NZ - потужний польовий N-канальний транзистор у корпусі TO-247. Загальні параметри: Виробники / Бренд: CR Micro Технологічна база: Advanced SkyMOS1 Technology Структура транзистора: Потужний польовий N-канальний MOSFET Виконання корпусу: TO-247 Електричні параметри Гранично допустимі значення: Максимальна напруга стік-витік Vdss: 100 В Максимальна напруга затвор-витік Vgs: ±20 В Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C кремнієве обмеження: 273 А Постійний струм стоку Id при температурі фланця 25°C обмеження корпусу: 180 А Постійний струм стоку Id при температурі фланця 100°C кремнієве обмеження: 177 А Піковий імпульсний струм стоку Idm: 720 А Максимальна розсіювана потужність Ptot при 25°C: 454 Вт Статичні та динамічні характеристики транзистора: Типовий опір відкритого каналу стік-витік Rdson: 2.6 мОм при напрузі затвора 10 В Максимальний опір відкритого каналу стік-витік Rdson max: 3.1 мОм Порогова напруга ввімкнення затвора Vgsth: 2.0...4.0 В Повний заряд затвора Qg: ~169 нКл Час затримки ввімкнення tdon: ~30-45 нс Час затримки вимкнення tdoff: ~120-150 нс Параметри вбудованого захисного діода: Типова пряма напруга діода Vf: 1.20 В при прямому струмі 90 А Максимальна пряма напруга діода Vf max: 1.40 В Час зворотного відновлення trr: ~101 нс Максимальний прямий струм діода If: 180 А Теплові параметри та експлуатація: Робоча температура кристала Tj: від -55 °C до +175 °C Тепловий опір перехід–корпус для MOSFET Rthjc: